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SLIMDIP SiC complet (PSF15SG1G6) avec le même profil que Hybrid SiC SLIMDIP (PSH15SG1G6)

La nouvelle puce de transistor à effet de champ (SiC-MOSFET) de Mitsubishi Electric en carbure de silicium-oxyde métallique semi-conducteur est incorporée dans les deux nouveaux ensembles SLIMDIP. Comparés aux modules SLIMDIP actuels de transistor bipolaire à barrière isolée (RC-IGBT) à conducteur inversé en silicone (Si), ces nouveaux modules SiC offrent une puissance de sortie plus élevée pour les appareils de plus grande capacité. En outre, par rapport au module basé sur Si, la perte de puissance est réduite de 79 %¹ avec le Full SiC SLIMDIP et de 47 %¹ avec le Hybrid SiC SLIMDIP pour des appareils plus économes en énergie. Avec ces deux nouveaux modules ainsi que les modules RC-IGBT SLIMDIP existants basés sur le Si, la série SLIMDIP offre désormais trois options pour une utilisation sur les cartes d'onduleurs d'appareils tels que les climatiseurs de salle, chacun adapté à des besoins spécifiques en matière de capacité électrique et de performance, mais tous proposés dans le même ensemble pour aider à réduire la charge de conception des substrats d'onduleur.