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POUR DIFFUSION IMMÉDIATE n° 3843

Mitsubishi Electric lance deux nouveaux modules HVIGBT de la Série XB

Pour des systèmes d’onduleurs fiables et hautement efficaces dans les rames ferroviaires et les équipements industriels lourds

Ce texte est une traduction de la version anglaise officielle de ce communiqué de presse. Il est fourni à titre de référence et pour votre confort uniquement. Pour plus de détails ou de précisions, veuillez vous reporter à la version originale en anglais. En cas de divergence, la version originale en anglais prévaut.

Module HVIGBT série XB 4,5kV/1200A (isolation standard)
Module HVIGBT série XB 4,5 kV/1200 A (modules à isolation renforcée)

Module HVIGBT série XB 4,5 kV/1 200 A (à partir de la gauche : modules à isolation standard et à isolation renforcée)

 

TOKYO, 2 décembre 2025 – Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO : 6503) a annoncé aujourd’hui le lancement de nouveaux modules à isolation standard (6,0 kVrms) et à isolation renforcée (10,2 kVrms) dans sa série XB de transistors bipolaires à grille isolée haute tension (HVIGBT) de 4,5 kV/ 1200 A le 9 décembre. Ces nouveaux semi-conducteurs de puissance à haute capacité offrent une résistance accrue à l'humidité, optimisant ainsi l'efficacité et la fiabilité des onduleurs destinés aux équipements industriels lourds, tels que les matériels ferroviaires, évoluant dans des environnements variés, y compris en extérieur. Mitsubishi Electric présentera ces nouveaux modules lors du 40ème salon Nepcon Japan R&D and Manufacturing, qui se tiendra à Tokyo du 21 au 23 janvier 2026, ainsi que lors d'autres événements en Amérique du Nord, Europe, Chine, Inde et dans d'autres régions.

 

Les nouveaux modules utilisent des éléments IGBT qui intègrent la diode RFC (Relaxed Field of Cathode) et la structure de transistor bipolaire à grille en tranchée (CSTBT1) exclusives de Mitsubishi Electric. Grâce à de nouvelles structures favorisant la relaxation du champ électrique2 et le contrôle de la charge de surface3, Mitsubishi Electric a réussi à réduire d'environ 30 % la taille de la région de terminaison de la puce, tout en atteignant une résistance à l'humidité environ 20 fois4 supérieure à celle des produits existants. Par ailleurs, le module affiche une réduction des pertes de commutation totales d'environ 5%5 comparé aux modèles précédents, et la tolérance RRSOA (reverse-recovery safe-operating area) est environ 2,5 fois6 supérieure à celle des modèles antérieurs.

 

En améliorant l'efficacité et la fiabilité des onduleurs pour équipements industriels lourds opérant dans des conditions environnementales variables, notamment à l'extérieur, ces modules contribueront à la neutralité carbone.

  • 1

    Structure IGBT propriétaire utilisant l’effet de stockage de transporteur.

  • 2

    Structure propriétaire avec des régions semi-conductrices de type P disposées de manière optimale qui élargissent progressivement l’espacement.

  • 3

    Structure propriétaire où le film semi-isolant est en contact direct avec la région des semi-conducteurs, assurant une dissipation de charge stable.

  • 4

    Résultats du test de vérification de la résistance à la condensation pour la série XB et les produits existants de la série H avec une tension nominale de 3,3 kV (conception de la terminaison identique à 3,3 kV et 4,5 kV).

  • 5

    Comparaison avec l’ancien CM1200HC-90R en termes d’Eon+Eoff+Erec à Tj=125°C, VCC=2 800 V et IC=1200 A.

  • 6

    Comparaison avec le CM1200HC-90R existant en termes de Prr, qui est le produit de VCE et Irr dans le RRSOA.

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