TOKIO, 18 de marzo de 2025 - Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO: 6503) anunció hoy que comenzará a enviar muestras de un nuevo módulo amplificador de potencia (PAM) de nitruro de galio (GaN) de potencia media 16 W para estaciones base multientrada multisalida¹ masivas (mMIMO) 5G el 25 de marzo. Este producto PAM, que funciona en la banda de 3,6-4,0 GHz, se puede implantar ampliamente en Norteamérica y en el este y sudeste de Asia. A medida que las redes 5G se expanden de centros urbanos a áreas regionales, se espera que las estaciones base mMIMO, especialmente las estaciones base mMIMO² 32T32R, se implanten cada vez más ampliamente. El PAM GaN de 16W de Mitsubishi Electric es especialmente adecuado para estaciones base mMIMO 32T32R porque reduce tanto los costes de producción como el consumo de energía.

Dado que las estaciones base mMIMO utilizan antenas multielemento y muchos amplificadores de potencia, existe una creciente necesidad de amplificadores de potencia altamente eficientes para ayudar a reducir los costes de producción y el consumo de potencia de las estaciones base. En particular, los PAM contribuyen en gran medida a reducir los costes de producción porque son fáciles de montar en una placa de circuito impreso, a diferencia de los amplificadores de potencia discretos que necesitan muchos componentes integrados. Aunque los amplificadores de potencia son necesarios para ofrecer características de baja distorsión que cumplan con los estándares de calidad de la señal 5G, ³ también deben admitir diferentes bandas de frecuencia en varios países y, además, deben lograr una potencia de salida cada vez mayor para admitir distancias de comunicación más largas a medida que las redes 5G se expanden desde áreas urbanas hasta ciudades circundantes.

Los PAM GaN de 8 W y 16 W existentes de Mitsubishi Electric, que admiten la banda de frecuencia 3,3-3,8 GHz, se utilizan ampliamente en Europa y en el sur y el oeste de Asia. El recién desarrollado PAM GaN de 16 W, que admite la banda de frecuencia 3,6-4,0 GHz ampliamente utilizada en Norteamérica y tanto en el este como en el sudeste de Asia, es principalmente idóneo para estaciones base mMIMO 32T32R, que se espera que se implementen cada vez más a medida que las redes 5G se expandan desde las áreas urbanas a las ciudades circundantes. Una estación base mMIMO 32T32R equipada con el nuevo PAM de 16 W puede lograr casi las mismas distancias de comunicación que una estación base mMIMO⁴ 64T64R equipada con un PAM de 8 W, y a su vez disminuye el requisito de PAM necesarios en una estación base mMIMO 32T32R a la mitad, reduciendo así los costes de producción de las estaciones base mMIMO utilizadas en muchos países. Además, el PAM utiliza el transistor de alta velocidad de electrones (HEMT) GaN patentado por Mitsubishi Electric y aprovecha la tecnología de diseño de circuitos para lograr características de baja distorsión y una alta eficiencia de potencia añadida del 41 % en un amplio rango de frecuencias de 3,6-4,0 GHz (banda de 400 MHz) para reducir el consumo de energía en las estaciones base mMIMO 5G.