Los módulos de potencia de Mitsubishi Electric se fabrican con tecnologías de última generación que garantizan los más altos niveles de rendimiento y fiabilidad al tiempo que ofrecen impresionantes ahorros de energía para los productos y sistemas en los que se utilizan. Estas tecnologías son cruciales para lograr una sociedad neutral en carbono y son especialmente importantes como parte de nuestros esfuerzos continuos.
Nuestros productos abarcan diversas aplicaciones, como electrodomésticos, vehículos ferroviarios, varios vehículos eléctricos (xEV) y equipos industriales, entre otros. A medida que aumenta la adopción de sistemas de alimentación a partir de energías renovables, nos centramos en el desarrollo de módulos de potencia de alto rendimiento, en particular para sistemas de transmisión de corriente continua de alta tensión (HVDC), contribuyendo así a una sociedad energéticamente sostenible.
Para mantener el liderazgo del mercado, nuestro objetivo de I+D es reducir el consumo y el tamaño de la energía, logrando avances en los módulos de última generación utilizando la tecnología SiC.

• Módulos de potencia SiC
• SOPIPM™
• DIPIPM™
• IPM
• Módulos IGBT y RC-IGBT
• Módulos HVIGBT
• Módulos de alimentación MOSFET
• Módulos de diodo
• Módulos refrigerados directamente

La gama de semiconductores de potencia de Mitsubishi Electric incluye HVIC (High-Voltage IC). Un HVIC es un circuito integrado de alta tensión con diversas funciones de protección incorporadas; utiliza las señales de entrada procedentes de un microordenador u otro dispositivo para dirigir directamente las puertas de los MOSFET o IGBT de alimentación.

• HVIC (circuitos integrados de alta tensión)

La línea de semiconductores de potencia de Mitsubishi Electric incluye matrices desnudas de MOSFET de carburo de silicio (SiC) y transistores bipolares de puerta aislada de conducción inversa (RC-IGBT) de silicio (Si). Actualmente ofrecemos muestras de matriz desnuda para su uso en diversas aplicaciones y accesorios de vehículos eléctricos (xEV) (cargadores integrados e infraestructura de carga).
Los dispositivos SiC MOSFET y RC-IGBT desarrollados utilizan nuestra estructura patentada y tecnologías de fabricación para mejorar el rendimiento del xEV, lo que contribuye a una mayor autonomía y una mejor eficiencia energética, promoviendo así el objetivo de una sociedad descarbonizada.

• Matriz desnuda

Mitsubishi Electric ha apoyado durante mucho tiempo la evolución de las redes de comunicación inalámbricas a través del desarrollo de sus dispositivos de alta frecuencia. Los productos fabricados combinando la última electrónica y otras tecnologías avanzadas con materiales de alto rendimiento recientemente desarrollados nos han permitido mantener una posición de liderazgo en el mercado. Nuestra gama de dispositivos de alta frecuencia contribuye a la infraestructura de comunicaciones inalámbricas, ya que no solo admite comunicaciones inalámbricas más fiables como las comunicaciones por satélite, sino también el avance de sistemas de comunicación de alta velocidad y alta capacidad, incluidas estaciones base para sistemas de comunicación móviles.

• Dispositivos de alta frecuencia GaN
• Dispositivos de radiofrecuencia de silicio

Mitsubishi Electric es una empresa líder en el desarrollo y producción de diodos y módulos láser que contribuye a la realización de la transformación digital (DX) a través de comunicaciones por fibra óptica de alta velocidad y alta capacidad. Nuestras tecnologías avanzadas respaldan una amplia gama de aplicaciones, incluidas redes de banda ancha y telecomunicaciones, centros de datos a gran escala capaces de manejar procesamiento avanzado como IA generativa, fibra hasta el hogar (FTTH) y estaciones transceptoras de base móviles (BTS) 5G. Muy respetados por su eficiencia energética, fiabilidad y rendimiento, nuestros diodos láser también se utilizan en aplicaciones de visualización.

• Dispositivos de comunicación de fibra óptica
• Diodos láser para proyectores

Los sensores de imagen de contacto de Mitsubishi Electric ofrecen la velocidad de escaneo más rápida del mundo en su clase.
El sensor de imagen CMOS ofrece una alta relación señal/ruido, gran sensibilidad e incorpora una unidad de procesamiento de imágenes y un convertidor de analógico a digital.