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Módulo HVIGBT serie XB (tipo 3,3 kV/1500 A)

El nuevo módulo HVIGBT de la serie XB de 3,3 kV/1500 A utiliza elementos IGBT que incorporan una estructura de diodo de campo relajado de cátodo (Relax Field of Cathode, RFC) patentada por Mitsubishi Electric y un transistor bipolar de puerta de trinchera con almacenamiento de portador (CSTBT¹). En particular, el módulo reduce la pérdida de conmutación total en aproximadamente un 15 %² en comparación con los  modelos anteriores, lo que contribuye a una mayor eficiencia en los inversores. También amplía la tolerancia en el área de operación segura de recuperación inversa (RRSOA) en aproximadamente un 25 %³ en comparación con los modelos anteriores, lo que mejora aún más la fiabilidad del inversor. Además, al utilizar una nueva estructura de relajación del campo eléctrico⁴ y una estructura de control de carga superficial⁵ en el área de terminación del chip, Mitsubishi Electric ha reducido el tamaño del área en aproximadamente un 30 % y ha logrado una resistencia a la humedad aproximadamente 20 veces⁶ mayor que los productos existentes, lo que contribuye a un funcionamiento más estable de los inversores utilizados en entornos de alta humedad. Al mejorar aún más la eficiencia y la fiabilidad de los inversores para grandes equipos industriales que operan en diversos entornos, se espera que el módulo contribuya a los esfuerzos para lograr la neutralidad en carbono.