Para su comodidad, le ofrecemos la traducción de la versión oficial en inglés de este comunicado de prensa únicamente a modo de referencia. Si desea conocer más detalles, consulte el texto original en inglés. En caso de que ambas versiones difieran, prevalecerá el contenido de la versión en inglés.

Full SiC SLIMDIP (PSF15SG1G6) con el mismo perfil que el Hybrid SiC SLIMDIP (PSH15SG1G6)

El chip transistor de efecto de campo de óxido metálico de carburo de silicio (SiC-MOSFET) recientemente desarrollado por Mitsubishi Electric está incorporado en ambos nuevos paquetes SLIMDIP. Estos nuevos módulos de SiC logran una mayor salida para electrodomésticos de mayor capacidad, en comparación con los módulos SLIMDIP actuales de transistores bipolares de puerta aislada de conducción inversa (RC-IGBT) basados en silicio (Si). Además, la pérdida de energía se reduce en un 79%¹ con el Full SiC SLIMDIP y en un 47%¹ con el Hybrid SiC SLIMDIP para electrodomésticos más eficientes energéticamente. Con estos dos nuevos módulos, además de los módulos SLIMDIP RC-IGBT basados en Si existentes, la serie SLIMDIP ahora ofrece tres opciones para usar en placas inversores de electrodomésticos tales como aires acondicionados domésticos, cada una adaptada a necesidades específicas de capacidad eléctrica y rendimiento, pero todas ofrecidas en el mismo paquete para ayudar a reducir la carga del diseño de sustratos inversores.