TOKYO, 2 dicembre 2025 – Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO: 6503) ha annunciato oggi che lancerà nuovi moduli a isolamento standard (6,0 kVrms) e ad alto isolamento (10,2 kVrms) nella serie XB da 4,5 kV/1.200 A di transistor bipolari a gate isolato ad alta tensione (HVIGBT) il 9 dicembre. Questi nuovi semiconduttori di potenza ad alta capacità raggiungono un’elevata resistenza all’umidità per inverter più efficienti e affidabili utilizzati in grandi apparecchiature industriali, come le automotrici, che operano in ambienti diversi, anche all’aperto. Mitsubishi Electric esporrà i nuovi moduli al 40º Nepcon Japan R&D and Manufacturing Show di Tokyo dal 21 al 23 gennaio 2026, unitamente ad altre mostre in Nord America, Europa, Cina, India e altre località.

I nuovi moduli utilizzano elementi IGBT che incorporano le strutture proprietarie del diodo RFC (Relaxed Field of Cathode) di Mitsubishi Electric e dei transistor bipolari a gate a trincea con accumulo di portatori (CSTBT¹). Le nuove strutture per il rilassamento del campo elettrico² e il controllo della carica superficiale³ hanno consentito a Mitsubishi Electric di ridurre le dimensioni della regione di terminazione del chip di circa il 30%, ottenendo anche una resistenza all’umidità circa 20 volte⁴ maggiore rispetto ai prodotti esistenti. Inoltre, il modulo riduce la perdita totale di commutazione di circa il 5%⁵ rispetto ai modelli precedenti e la tolleranza dell’area di funzionamento sicuro a recupero inverso (RRSOA) è di circa 2,5 volte ⁶ maggiore rispetto a quella dei modelli precedenti.

Come risultato del miglioramento dell’efficienza e dell’affidabilità degli inverter in grandi apparecchiature industriali che operano in ambienti in cui le condizioni possono variare, come ad esempio all’aperto, i moduli contribuiranno alla neutralità carbonica.